（1）纳秒脉冲(功率)驱动技术

基于FPGA的全参数化纳秒脉冲（功率）系列驱动控制技术和设备，可实现数字化脉冲参数捷变及动态阻抗匹配、获得多种极端脉冲参数，为航空航天、生物医学、食品处理、等离子体消杀毒、医疗设备、半导体芯片测试、质量选择器、普克尔盒、HiPIMS磁控溅射等领域的研究工作提供有效的技术支撑。已在西安交通大学、国防科大、南京大学、哈尔滨工业大学、空军工程大学、中国工程物理研究院、西北核技术研究院、中科院力学所、电工所、工程热物理研究所、西安光机所等百余家科研院所和企业得到应用，为国防创新重大专项和国家自然科学基金重大项目等课题研究发挥了重要作用。

（2）长寿命、大电流、高重频光导开关器件机理及应用技术

雪崩GaAs光电导开关

半导体GaAs光电导开关受光触发后，由于载流子碰撞电离产生高浓度等离子体，使开关在亚纳秒时间内由高阻态转变为低阻导通状态。工作电压：5-80 kV；开关时间：200 ps-1 ns;触发光能量：2 nJ-10μJ。应用领域包括高功率微波武器、核电磁脉冲辐射源、大型脉冲功率装置气体开关触发、放电等离子体等。

宽禁带GaN光电导微波器件

宽禁带GaN光电导微波产生器件输出微波功率可达MW级、工作频段L-X可调、具备百kHz重频能力，是发展新型高功率微波武器的优势技术方案。灵活应用于各种移动式平台，实现远距离雷达通信、中距离电子干扰、近距离损伤功能。获军科委、自然科学基金、军队研究机构及中电集团研究所等多项课题支持。

（3）等离子体放电特性及其应用

等离子体高电子浓度、高负载功率、高开关电阻比、辐射宽光谱等特性使其可被广泛应用于航空航天，生物医学、环境治理、材料改性、新型能源、微纳加工等诸多领域。通过开展等离子体数值模拟，特性诊断及相关应用研究，为等离子体新型器件开发提供重要的理论支撑及技术保障。项目研究受到多项国家自然科学基金及企业横向课题支持。